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隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池(下文简称为“TOPCon太阳电池”)被广泛认为是产业用下一代主流高效晶体硅太阳电池技术,目前......
基于电阻率为1.8Ω·cm的P型多晶硅片,实验研究了管式PECVD和平板式PECVD沉积的氮化硅膜对多晶硅太阳电池的影响.利用椭偏仪、积分......
氮化硅膜层在晶体硅太阳电池中起到钝化和减反射的作用,对太阳电池的转换效率有着重要的影响。实验采用P型多晶硅片,经制绒、扩散和......
管式PECVD工艺参数主要包括:温度、气体流量、压强、功率、频率开关比和沉积时间等。采用传统实验方法研究各工艺参数对氮化硅膜的......
利用管式PECVD在多晶硅片上获得钝化效果和减反性能优异的双层SiNx∶H薄膜,其中底层和顶层SiNx折射率分别为2.35和2.01,膜厚为17 n......
研究了预热型管式PECVD设备的结构及其对镀膜性能的影响。通过合理利用管式PECVD设备的净化台空间,对常规型管式PECVD设备的整体结......

